Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Epitaxy — refers to the method of depositing a monocrystalline film on a monocrystalline substrate. The deposited film is denoted as epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from a Greek root ( epi above and taxis in ordered manner ) which … Wikipedia
tranche d'épitaxie en phase vapeur — garinės epitaksijos plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy wafer vok. Dampfphasenepitaxiewafer, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем из паровой фазы, f pranc. tranche d épitaxie en phase vapeur, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Chemical vapor deposition — DC plasma (violet) enhances the growth of carbon nanotubes in this laboratory scale PECVD apparatus. Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process used to produce high purity, high performance solid materials. The process is often used in … Wikipedia
Depot chimique en phase vapeur — Dépôt chimique en phase vapeur Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en… … Wikipédia en Français
Dépôt Chimique En Phase Vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 … Wikipédia en Français
Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Dépôt chimique en phase vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 … Wikipédia en Français
Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… … Wikipedia
Dampfphasenepitaxiewafer — garinės epitaksijos plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy wafer vok. Dampfphasenepitaxiewafer, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем из паровой фазы, f pranc. tranche d épitaxie en phase vapeur, f … Radioelektronikos terminų žodynas
garinės epitaksijos plokštelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy wafer vok. Dampfphasenepitaxiewafer, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем из паровой фазы, f pranc. tranche d épitaxie en phase vapeur, f … Radioelektronikos terminų žodynas
